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盖艳琴

来源:系统管理员发稿时间:2011-07-10浏览次数:6680

 

姓名:盖艳琴        性别:

籍贯:山东 烟台 出生年月198003

博士\硕士导师:硕士导师

学科及方向凝聚态物理 宽带隙半导体掺杂特性及稀磁半导体磁耦合机制的理论研究

个人简介(150字以内)

 

盖艳琴 中共党员,博士研究生,副教授,硕士生导师。2003年烟台师范学院物理学院获理学学士学位;2006年吉林大学获凝聚态物理专业硕士学位;2009年中科院长春光机所和北京半导体所毕业,获得凝聚态物理理学博士学位。2009年7月,中国矿业大学理学院工作至今。

 

一、科研项目(不超过10项)

1        主持 国家自然科学基金科学部主任专项基金项目“能带调控提高ZnOp型掺杂效率的理论研究”11047130      

2        主持 国家自然科学基金青年科学基金项目“晶格缺陷在ZnO基d0铁磁体中所起作用的理论研究”(11104345)

3        主持  中国矿业大学青年科研基金 项目“半导体合金Zn1-xBexO中缺陷和掺杂的理论研究”(2009A047    

4        主持 中国矿业大学启航计划科研基金项目“半导体合金Zn1-xBexO中缺陷和掺杂的理论研究”              

5        主持 中国矿业大学教育部理科专项基金项目“晶格缺陷对ZnO中磁性影响的理论研究” (2010LKWL03)    

6         参与 国家重大基础研究计划(973)子课题项目“ZnO的能带、掺杂与极化的理论研究” (2011CB302003-1)                 

 

二、代表性论文(不超过10篇)

1. Yanqin Gai, Jingbo Li, Shu-Shen Li, et al. Design of Narrow-Gap TiO2: A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity. Physics Review Letter, 2009, 102, 036402. 

2. Yanqin Gai, Jingbo Li, Shu-Shen Li, et al., Design of shallow acceptors in ZnO through novel compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation. Physical Review B2009, 80, 153201. 

3. Yanqin Gai, Haowei Peng, and Jingbo Li, Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe

Quantum Dots from First Principles. Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113 (52): 21506-21511.

4. Y. Q. Gai, B. Yao, Z. P. Wei, et al. Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO. Applied Physics Letters, 2008, 92, 062110. 

5Yanqin Gai, Jingbo Li, Bin Yao, and Jian-Bai Xia. The bipolar doping of ZnS via native defects

and external dopants. Journal of Applied Physics, 2009, 105, 113704. 

6. Y. Q. GaiB. YaoY. F. Liet al, Inffuence of hydrostatic pressure on the native point defects

in wurtzite ZnO: Ab initio calculation. Physics Letters A, 2008, 372 (30), 5077. 

7. Y. Q. GaiB. Yao, Y. M. Lu, et al. Electronic and optical properties of ZnO thin film under

in-plane biaxial strains: Ab initio calculation. Physics Letters A, 2007, 372, Issue 1, 72.  

8. Yanqin Gai, Jingbo Li, et al., Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42 155403. 

9.Ping Ma, Yanqin Gai, Junxi Wang, et al. Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN Multi-quantum-wells based on  Mg-doped GaN annealed in O2. Applied Physics Letters, 2008, 93,102112. 【本人为通讯作者】

三、专著或教材

     

四、获奖情况不超过10

   

五、荣誉称号不超过10

    理学院优秀班主任;校优秀班主任

六、联系邮箱

   yqgai@semi.ac.cn